Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM052NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM052NB03CR

TSM052NB03CR RLG Hakkında

TSM052NB03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile 17A sürekli akım (Ta) ve 90A akım (Tc) kapasitesi sunar. 8-PowerTDFN paket formatında sunulan bu bileşen, 5.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışma sağlayan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 41nC gate charge ve 2294pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2294 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok