Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM052N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM052N06PQ56
TSM052N06PQ56 RLG Hakkında
TSM052N06PQ56 RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 100A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-pin PowerTDFN (5x6mm) yüzey monte pakette sunulan transistör, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 83W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü voltajında 5.2mΩ on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3686 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok