Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM048NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM048NB06LCR
TSM048NB06LCR RLG Hakkında
TSM048NB06LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 16A (Ta) / 107A (Tc) devamlı drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.8mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kayıplarında çalışmak için tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulur ve -55°C ile 175°C arasında güvenilir performans sağlar. Motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında ve 10V gate sürüş geriliminde optimum çalışma karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 107A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6253 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok