Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM045NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM045NB06CR
TSM045NB06CR RLG Hakkında
TSM045NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj rating'i ile 16A sürekli akım (Ta'da) ve 104A (Tc'de) kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN paket türü ile yüksek güç yoğunluğu uygulamaları için tasarlanmıştır. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, aydınlatma uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate-source voltaj toleransı ve 104nC gate charge karakteristiği ile hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6870 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok