Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM045NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM045NA03CR

TSM045NA03CR RLG Hakkında

TSM045NA03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj aralığında 108A sürekli akım kapasitesine sahip, 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu bileşen düşük on-state direnci (RDS(on): 4.5mΩ @ 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasını mümkün kılar. Motor kontrol, güç dönüştürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve çeşitli endüstriyel elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılır. 89W maksimum güç tüketimi, 19nC gate charge ve 1194pF input kapasitesi hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1194 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok