Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM033NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM033NB04LCR
TSM033NB04LCR RLG Hakkında
TSM033NB04LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilim yeteneği ve 21A (Ta) / 121A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Power delivery, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 8-PDFN (5x6mm) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 121A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4456 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok