Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM026NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM026NA03CR
TSM026NA03CR RLG Hakkında
TSM026NA03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 168A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PDFN (5x6) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (2.6mOhm @ 10V) ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 125W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge (41nC @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli işletme sağlar. Cihaz sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 168A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2540 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok