Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM024NA04LCR RLG

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM024NA04LCR

TSM024NA04LCR RLG Hakkında

TSM024NA04LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 170A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6mm) paketinde surface mount olarak sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (2.4mΩ @ 25A, 10V) ve 125W maksimum güç saçımı özellikleriyle tasarlanmıştır. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında operas­yon yapabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi, inverter devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kapı yükü (67nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4224 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok