Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM018NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM018NB03CR
TSM018NB03CR RLG Hakkında
TSM018NB03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 29A, junction sıcaklığında 194A'ye kadar drain akımı sağlayabilir. 1.8mOhm'luk düşük on-direnci (Rds On) ile güç kayıplarını minimize eder. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 120nC gate charge ve 7252pF input kapasitanslı özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 194A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7252 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok