Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM018NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM018NA03CR
TSM018NA03CR RLG Hakkında
TSM018NA03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 185A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı paketinde sunulur. 1.8mΩ (10V, 29A) düşük on-direnç değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 104W maksimum güç dağıtabilir. Yüksek akım uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, inverter ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri bu bileşeni verimli devre tasarımları için uygun kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 185A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3479 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok