Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM015NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM015NA03CR

TSM015NA03CR RLG Hakkında

TSM015NA03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 205A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (5x6mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.5mOhm RDS(on) değeri ile enerji dağılımını minimize eder. Gate charge karakteristiği ve geniş sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde motor sürücüleri, güç kaynakları, enerji dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır. Maksimum 104W güç dağılımına dayanabilir. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 205A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4243 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok