Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TQM300NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TQM300NB06CR

TQM300NB06CR RLG Hakkında

TQM300NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı (Ta) ile 27A (Tc) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp dissipasyonu sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface Mount Wettable Flank paketinde sunulan TQM300NB06CR, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren modern elektronik tasarımlara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1009 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package PDFN56U
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok