Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TQM150NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TQM150NB04CR

TQM150NB04CR RLG Hakkında

TQM150NB04CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 41A akım sağlayabilen bu bileşen, 15mΩ on-resistance değeriyle düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve ±20V gate gerilim toleransına sahiptir. Surface mount PDFN56U paketlemesiyle tasarlanan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 20nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 41A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1044 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PDFN56U
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok