Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TQM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TQM130NB06CR
TQM130NB06CR RLG Hakkında
TQM130NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ile 10A (Ta) / 50A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (40nC @ 10V) ile enerji açısından verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount PDFN56U paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2234 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PDFN56U |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok