Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TQM110NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TQM110NB04CR

TQM110NB04CR RLG Hakkında

TQM110NB04CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim derecesinde çalışan bu bileşen, 12A sürekli akım (Ta) ve 54A akım (Tc) kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan transistör, 11mΩ maksimum on-direnci ve 25nC gate charge özellikleriyle düşük kaybı işaretleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Surface mount wettable flank montajı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1352 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PDFN56U
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok