Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TQM050NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TQM050NB06CR
TQM050NB06CR RLG Hakkında
TQM050NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide FET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 16A (Ta) / 104A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile düşük on-state direnci sağlayarak enerji kaybını azaltır. Surface Mount PDFN56U paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesi sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 3.8V threshold gerilimi ile uyumlu sürücü devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6904 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PDFN56U |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok