Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
TPWR8503NL

TPWR8503NL,L1Q Hakkında

Toshiba TPWR8503NL,L1Q, 30V drain-source voltajında çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 8-PowerWDFN SMD paketinde sunulan bileşen, 0.85mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate voltajı toleransı ve 2.3V kapı eşik voltajı hızlı anahtarlama özelliği sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 142W güç dağıtabilir. Düşük gate charge (74nC) ve input capacitance (6900pF) değerleri verimli sürücü tasarımı imkanı tanır. Entegre güç uygulamaları, invertörler ve anahtarlama regülatörü devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.85mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-DSOP Advance
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok