Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPWR6003PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
TPWR6003PL

TPWR6003PL,L1Q Hakkında

Toshiba TPWR6003PL,L1Q, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 150A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 0.6mOhm (10V, 50A koşullarında) düşük on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerWDFN (8-DSOP) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüşüm devreleri, motor kontrolü, elektrikli araç uygulamaları, AC/DC konvertörler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge 110nC@10V, input capacitance 10000pF@15V ve maksimum ±20V gate-source gerilimi ile hızlı anahtarlama ve kontrol özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.6mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-DSOP Advance
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok