Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPW4R50ANH
TPW4R50ANH,L1Q Hakkında
TPW4R50ANH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 92A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.5mOhm (10V, 46A'da) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate voltajı kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma koşullarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DSOP Advance |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok