Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPW4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPW4R008NH
TPW4R008NH,L1Q Hakkında
TPW4R008NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 116A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 4mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. Gate şarj (59nC) ve giriş kapasitanı (5300pF) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında ve ±20V gate gerilimi aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 116A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DSOP Advance |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok