Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPW1R104PB,L1XHQ
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPW1R104PB
TPW1R104PB,L1XHQ Hakkında
TPW1R104PB, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN paket tipinde sunulan bu komponent, 1.14mΩ (10V, 60A) maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybiyatlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışan transistör, 175°C'ye kadar işletilmektedir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 55nC gate charge ve 4560pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4560 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 132W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.14mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DSOP Advance |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok