Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPS1101DR
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPS1101
TPS1101DR Hakkında
TPS1101DR, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistöründür. 15V Drain-Source gerilimi, 2.3A sürekli drenaj akımı ve 90mΩ maksimum Rds(on) değeri ile belirtilmiştir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (11.25nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde güç yönetimi, anahtarlamalar ve load switching uygulamalarında tercih edilir. MOSFET teknolojisine dayalı tasarımı, verimli enerji işleme ve kompakt devre tasarımı gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 791mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok