Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPS1101D

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
TPS1101

TPS1101D Hakkında

TPS1101D, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 15V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 90mOhm maksimum on-state direnci (10V, 2.5A'de) ile verimli güç dağılımı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Düşük gate charge (11.25nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar. Batarya yönetimi, LED sürücüleri, küçük motor kontrolü ve güç dağıtım devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.25 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 791mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +2V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok