Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPS1100DR
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPS1100
TPS1100DR Hakkında
TPS1100DR, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 15V Vdss rating ve 1.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 180mOhm Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük kapılı yük gereksinimiyle (5.45nC @ 10V) hızlı komütasyon sağlayan bu MOSFET, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü uygulamalarında ve anahtar modunda güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 791mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok