Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
TPS1100

TPS1100D Hakkında

TPS1100D, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 15V Drain-Source voltaj desteği ile 1.6A sürekli dren akımı sağlayabilir. 8SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri (10V gate voltajında) ile düşük iletim kaybı özellikleri taşır. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 791mW güç dissipasyonuna sahiptir. Gate charge değeri 5.45nC'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük kontrol sistemleri ve portable cihazlarda kullanılan düşük gerilim MOSFET'leridir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 791mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +2V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok