Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN8R903NL,LQ
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN8R903NL
TPN8R903NL,LQ Hakkında
TPN8R903NL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. 8-PowerVDFN (3.1x3.1) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.3V kapı eşik gerilimi ile güvenilir ve kontrollü anahtarlama sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığı derecesinde 22W güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok