Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN7R506NH
TPN7R506NH,L1Q Hakkında
TPN7R506NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 26A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.5mΩ (10V, 13A koşullarında) düşük RDS(on) direnci sayesinde ısı kaybını minimize eder. 8-TSON (3.1x3.1mm) SMD paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltajı toleransı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok