Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN7R006PL
TPN7R006PL,L1Q Hakkında
Toshiba TPN7R006PL,L1Q, 60V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 54A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-TSON Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 175°C'ye kadar çalışabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.5V threshold voltajı ile kontrollü anahtarlama özelliği gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1875 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok