Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN6R303NC
TPN6R303NC,LQ Hakkında
TPN6R303NC,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-TSON Advance paket türünde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençi (6.3mOhm @ 10A, 10V) ve hızlı anahtarlama özelliği ile DC-DC dönüştürücüler, pil yönetim sistemleri, motor sürücüleri ve elektriksel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.3V threshold gerilimi ile güvenilir kontrol sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok