Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN6R003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN6R003NL
TPN6R003NL,LQ Hakkında
TPN6R003NL,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ve düşük gate charge (17nC) özellikleri ile hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. 8-TSON Advance paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum gösterir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok