Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN5900
TPN5900CNH,L1Q Hakkında
TPN5900CNH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-TSON PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, 59mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç özelliği gösterir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında kararlı çalışır. Motor kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V sürüş voltajında optimize edilmiş çalışma karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok