Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN4R806PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN4R806PL
TPN4R806PL,L1Q Hakkında
Toshiba TPN4R806PL,L1Q, 60V ile 72A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-TSON (3.1x3.1mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 3.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 10V kapı gerilimi altında 29nC'lik kapı yükü ve 2770pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılmaktadır. ±20V maksimum kapı gerilimi aralığında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürme, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 175°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2770 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok