Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN4R712MD
TPN4R712MD,L1Q Hakkında
TPN4R712MD,L1Q, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 36A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSON (3.1x3.1mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (4.7mOhm @ 4.5V) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 42W güç yayma kapasitesiyle batarya koruma devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. -12V ile +12V arasında gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanında çalışabilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında dayanıklı performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok