Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN4R303NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN4R303NL
TPN4R303NL,L1Q Hakkında
Toshiba TPN4R303NL,L1Q, N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSON (3.1x3.1mm) yüzey montajlı pakette sunulur. 10V gate geriliminde 4.3mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.3V, maksimum gate gerilimi ±20V, maksimum junction sıcaklığı 150°C'dir. Motor kontrolü, güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları, batarya koruma devreleri ve DC-DC converterlar gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok