Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN4R203NC
TPN4R203NC,L1Q Hakkında
TPN4R203NC,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 4.2mΩ (10V, 11.5A'de) on-resistance değerine sahip olup, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri için uygundur. 8-TSON Advance paket içinde sunulan bileşen, düşük sıcaklık katsayısı ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanır. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate-source gerilimi ve 2.3V (200µA'de) threshold voltajı ile kontrollü açılıp kapanma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok