Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN3300ANH,LQ
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN3300
TPN3300ANH,LQ Hakkında
TPN3300ANH,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 9.4A sürekli drain akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 33mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak verimli anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-TSON paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve 11nC gate charge ile hızlı switching karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok