Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPN30008NH,LQ

MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPN30008NH

TPN30008NH,LQ Hakkında

Toshiba TPN30008NH,LQ, 80V drain-source voltaj kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 9.6A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 30mOhm RDS(On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-TSON PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motorlar kontrolü ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltaj toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok