Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN2R903PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN2R903PL
TPN2R903PL,L1Q Hakkında
Toshiba TPN2R903PL,L1Q, N-Channel MOSFET transistörü olup 30V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-TSON PowerVDFN paketlemede sunulan bu bileşen, 2.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 26nC gate charge ve 2300pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama ve verimli sürücü kontrolü için uygundur. -40°C ile +175°C arasında çalışır. Güç dönüştürme uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok