Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN2R805PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN2R805PL
TPN2R805PL,L1Q Hakkında
TPN2R805PL,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 45V drain-source gerilimi ve 139A (Ta) / 80A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2.8mOhm düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-TSON (PowerVDFN) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama hızlı uygulamalarda, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaktadır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 104W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 139A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 22.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok