Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN2R703NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q Hakkında
TPN2R703NL,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 45A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-TSON (3.1x3.1mm) SMD pakette sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.3V threshold gerilimi ile kontrollü anahtarlama özelliği sunar. 150°C maksimum işletme sıcaklığına kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok