Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN2R503NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN2R503NC
TPN2R503NC,L1Q Hakkında
TPN2R503NC,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-TSON Advance paketlemede sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile zorlu çalışma koşullarına dayanabilir. ±20V gate-source gerilimi aralığı ve 40nC gate charge karakteristikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun parametreler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok