Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPN2R304

TPN2R304PL,L1Q Hakkında

Toshiba TPN2R304PL,L1Q, N-Channel MOSFET transistör olup 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-TSON Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) değeri (2.3mΩ @ 40A, 10V) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında verimliliği artırır. ±20V gate gerilimi kapasitesi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. Güç kaynakları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 41nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 0.3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok