Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPN2R203NC,L1Q

MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPN2R203NC

TPN2R203NC,L1Q Hakkında

TPN2R203NC,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 45A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (8-TSON Advance) yüzey monte paketinde sunulur. 2.2mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 34nC ve threshold voltajı 2.3V @ 500µA'dir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilir. Sürücü devreler, DC-DC konvertörler, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 150°C junction sıcaklığında ve 42W (Tc) güç dağıtımında işletim yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2230 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok