Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN22006NH
TPN22006NH,LQ Hakkında
TPN22006NH,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-TSON (3.3x3.3mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi ile çalışabilir ve 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 12nC gate charge ve 710pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok