Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN2010
TPN2010FNH,L1Q Hakkında
TPN2010FNH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 5.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama devrelerinde görev yapar. 198mOhm on-resistance (10V, 2.8A'de) sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. 8-TSON SMD paketinde sunulan bu bileşen, inverter devreleri, AC/DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate voltaj aralığı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok