Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN1R603PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN1R603PL
TPN1R603PL,L1Q Hakkında
Toshiba TPN1R603PL,L1Q, N-kanal MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss), 80A sürekli dren akımı (Id) ve 1.6mΩ on-resistance (Rds(on)) ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. ±20V gate gerilimi kapasitesi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 41nC gate şarjı ve 3900pF input kapasitanslı tasarımı hızlı komütasyon gerektiren sistemlerde etkin çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok