Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN19008QM,LQ
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN19008QM
TPN19008QM,LQ Hakkında
TPN19008QM,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 34A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 19mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (3.1x3.1mm) yüzey montaj paketinde sunulur. ±20V gate voltajı aralığında çalışır ve 175°C maksimum işletme sıcaklığına dayanır. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 630mW (Ta) ve 57W (Tc) güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok