Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN1600ANH
TPN1600ANH,L1Q Hakkında
TPN1600ANH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 16mΩ maksimum Rds(on) değeri ile çalışır. 8-PowerVDFN (3.1x3.1mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum işletme sıcaklığında 700mW güç dağıtımı yapabilir. 19nC gate charge ve 1600pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. Aktif üretim durumunda olan bu MOSFET, ±20V maksimum gate gerilimi toleransı ile geniş bir uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok