Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN14006NH
TPN14006NH,L1Q Hakkında
TPN14006NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-TSON Advance (3.1x3.1) paketinde sunulan bu bileşen, 14mOhm maksimum on-direnci (Rds(on)) ile verimli çalışma sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda işletilabilir. Gate yükü 15nC ve giriş kapasitansi 1300pF'dir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Surface mount yapısı ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok