Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPN13008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPN13008NH
TPN13008NH,L1Q Hakkında
TPN13008NH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-PowerVDFN (3.1x3.1mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençi (Rds On: 13.3mOhm @ 9A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. Gate charge değeri 18nC olup hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devrelerinde ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.3mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok